第一八零章 FinFET工藝

王岸然無心公司的日常事務,每一項決策都是選擇題,雖然有前世的見識,大部分他可以很容易選出最佳的答案。

不過在人事,銷售,團隊培養,金融等各方面,他還是小白的存在。

事實上王岸然前世一直沒有企業管理的經驗,雖然混上了AMD的高層,但也僅僅是技術大拿。

相比於坐在辦公室簽字,他更喜歡留在實驗室內,解決一個接着一個的技術難題。

此刻,最讓他感興趣的,莫過於芯片製造。

華芯科技的芯片加工廠已經進行了生產調試,三條生產線的表現有所差異。

來自東芝的芯片生產線,試生產的良品率就達到了60%以上,而IBM的生產線,良品率也達到了40%以上。

技術人員已經嚴格按操作規程作業,但要知道,芯片生產幾百道工序,每道工序即便達到99%的成功率,累計到300個指數等級下去,良品率將不足0.1%。

所以每一道工序必須保證99.999999……%的準確率。

可想而知,要保證良品率,得需要付出多大的努力。

在東芝技術人員的幫助下,對Intel轉讓的金屬鋁物理氣相沉積技術進行改進,效果出人意料的好。

爲此,王岸然還和東芝簽定了補充協議,以五百萬美元的代價,邀請東芝的技術人員幫忙消化Intel的技術。

事實上,王岸然非常喜歡和東芝這樣的公司打交道,只要有錢,總能在儘可能程度上滿足你的需求,而且不折不扣。

現在的東芝日子可不好過,因爲賣給蘇聯五軸聯動機牀的事,到現在老美都不願意放過他,東芝的產品在美國是不允許售賣的,要知道這個時候的美國,是全世界半導體最大的市場,直接砍斷,對東芝的影響力可謂空前。

再加上美利堅的小弟英格蘭,爲了表現自己對老大的衷心,帶頭對東芝進行封殺,還煽動英聯邦的成員對東芝進行制裁。

一時間,東芝損失了全球大半的市場,以至於每年的財報上都是一長串的赤字。

與華芯科技的合作,總共可是涉及了上億美元,這是大生意,對現在的東芝而言,尤爲重要。

而且金屬鋁連接技術可是你Intel轉讓的,跟東芝可沒關係,東芝要做的,就是當一個老師,把華芯科技的技術人員教會該怎麼使用。

兩家公司一拍即合,順利達成意向。

當然如果這麼簡單,華芯科技這五百萬美元,花的可就有點冤枉了,成套的鋁金屬連接技術,只要花時間,總能得到解決。

在王岸然的辦公室,東芝的技術代表橋本龜太郎,鞠躬鞠的王岸然頭暈。

“岸然君,貴方要求的,與東芝公司成立合作研究機構,致力於半導體芯片加工中,金屬銅物理氣相沉積PDV的研究,已經得到公司的審批,東芝公司非常願意跟華芯公司展開更深入的合作。”

王岸然站起身來,跟橋本龜太郎熱情的握了握手。

這項合作可是花了華芯科技三十四條專利授權,加上1000萬美金的技術服務費才達成的。

價值人民幣上億,貴可能貴了點,不過王岸然認爲有價值,這就已經足夠了。

於此同時,浸入式光刻與雙工臺的研究也開始進入日程,讓王岸然苦惱的是,他找不到合適的技術帶頭人,所以一直無法推進。

不過另一項與浸入式光刻齊名的FinFET生產工藝,王岸然覺的大有可爲。

Fin Field_Effect Transistor 鰭式場效應晶體管,相比與MOS晶體管而言,這是一款新型的晶體管模式。

是有華人科學家胡正明教授提出,並建立了系統的數學模型。

特點是工藝不變的情況下,可以在相同的面積內塞進更多的晶體管,而且漏電量和功耗同步大幅度降低。

FinFET技術在9102年已經相當成熟,他本是Intel於2011年第一次推出,用於22納米制造工藝上的第三代酷睿處理器上,隨後大部分的半導體廠家開始加入到FinFET工藝陣營當中。

技術難度比起普通的MOS有所提高,工藝上也增加了幾十道光、蝕刻、清洗、填塞、氣相沉積過程。

對華芯科技而言,技術難點就是材料的物理氣相沉積PDV技術,以及堆疊薄膜鍍層保護和蝕刻技術。

相比沉浸式光刻技術以及雙工臺技術的難度而言,FinFET技術猶如小學生的作業題,在現有的技術條件下就可以完成。

加上自對準雙重成像技術SADP,一旦得到攻克,王岸然有信心在不調整硬件的基礎上,實現800納米制造工藝的突破,並將芯片的集成度達到320納米制造工藝的程度。

研究課題的確認,需要理論方面的支持,基於FinFET工藝的BSIM數學模型有現實的指導意義。

9102年,如果說一個芯片底層硬件邏輯電路工程師,對BSIM不瞭解,那他肯定是混日子的。

BSIM邏輯電路設計模型在基於FinFET工藝中的作用不可替代,王岸然自然不陌生,甚至他可以清晰的記得數學模型中每一個參數的設置。

不過就這樣堂而皇之的拿出來,多有不方便之處。

爲此王岸然專門成立了FinFET專用研究實驗室,召集了包括季小青、胡效旻、劉赫在內的一大幫華芯科技的基幹力量。

“大家很清楚,我們的製造工藝,比起國際上主流的製造工藝落後了兩到三代,比起國外最新的尖端研究,那不知道落後多少代了。

今天我召集大家來到這裡,就是要開展一項FinFET工藝的開發,我可以很自豪的告訴大家,在這方面,我們走到了全世界的前列。”

王岸然的話成功了煽動了大家的熱情,對於大多人人來說,對Fin並不陌生,關於場鰭效應的論文在國際上並不新鮮。

可以在這項新的理論模型下,進行實際應用的研究,也是一件令人振奮的事。

就在王岸然正在埋頭進行FinFET工藝模型架構的創建之時,一則消息打破了他的平靜。

“王總,德州儀器CEO安德森已經抵達了燕京,他希望就合作事宜,儘快與你進行會面。”

合作!拿技術來合作啊,華芯科技肯定比你想象中的更有誠意。

王岸然點點頭,對張磊說道:“聯繫技術部,雷總,明天上午九點開會,這次我們要好好討論一下,該要點什麼?”

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